Кристалл выполняем на пластине ni - n - n+ - GaAs

Технология очистки поверхности кристалла

1. На начальном этапе очистки производится так называемое обезжиривание поверхности - удаления жиров, масел, восков, смол. При этом в качестве растворителей могут использоваться углеводороды, их смеси, спирты, эфиры, амины, кетоны, хлорорганические соединения и др.

. Органические примеси с поверхности кремниевых пластин обычно удаляются в перекисно-аммиачном растворе (Н2О2 : NН4ОН : Н2О = 1 : 1 : 3) с последующей гидродинамической отмывкой поверхности. Перекись водорода Н2О2 обеспечивает окисляющее разложение органических примесей, гидроксид аммония NН4ОН образует комплексные соединения с металлами, что облегчает их удаление с поверхности.

. Для отмывки пластин используют особо чистую воду: дистиллированную и деионизованную (ионообменную). Степень очистки воды контролируют по ее удельному электросопротивлению. Удельное сопротивление дистиллированной воды составляет от 100 до 200 кОм×см, бидистиллированной - от 0,5 до 10 МОм×см, деионизованной - до 20 МОм×см.

. Для очистки от органических частиц деионизованная вода фильтруется мембранными фильтрами из тонких пленок нитроцеллюлозы, нейлона и др. материалов, обеспечивающих размеры отверстий от долей до нескольких микрометров.

. Очищенная поверхность пластин должна быть предохранена от последующих загрязнений. Для этого используют несколько приемов: моментальную передачу очищенных пластин в условиях чистой окружающей среды на следующую технологическую операцию; хранение очищенных пластин в герметичной таре, заполненной чистым инертным газом; защиту поверхности кремниевых пластин специальными технологическими пленками, например покрытие их специальным лаком.

Травление

n

+ слоя

1. Подготовка пластины.

. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.

. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 1).

. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.

. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Травление

n

слоя

1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.

. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

. Совмещение и экспонирование методом проецирования (фотошаблон 2).

. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.

. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.

Изготовление резисторов

1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.

. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.

. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 2).

. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.

. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.

. Нанесение слоя материала резисторов рения методом катодного осаждения.

. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина. Перейти на страницу: 1 2

Другие статьи по теме:

Генератор линейно-изменяющихся напряжений Генераторы синусоидального напряжения отличаются тем, что у них цепь обратной связи имеет резонансные свойства. Поэтому условия возникновения колебаний выполняются только на одной частот ...

Исследование щелевой антенной решетки микроэлектроника антенный программа В диапазон СВЧ микроэлектроника начала внедряться в последнюю очередь, примерно в середине 60-х годов прошлого века. В первую очередь это связано с тр ...

Графен в электронике сегодня и завтра Графен был экспериментально обнаружен в 2004 г. двумя английскими учеными российского происхождения - Андреем Геймом и Константином Новосёловым, за что они вскоре получили Нобелевскую п ...