Кристалл выполняем на пластине ni - n - n+ - GaAs
Технология очистки поверхности кристалла
1. На начальном этапе очистки производится так называемое обезжиривание поверхности - удаления жиров, масел, восков, смол. При этом в качестве растворителей могут использоваться углеводороды, их смеси, спирты, эфиры, амины, кетоны, хлорорганические соединения и др.
. Органические примеси с поверхности кремниевых пластин обычно удаляются в перекисно-аммиачном растворе (Н2О2 : NН4ОН : Н2О = 1 : 1 : 3) с последующей гидродинамической отмывкой поверхности. Перекись водорода Н2О2 обеспечивает окисляющее разложение органических примесей, гидроксид аммония NН4ОН образует комплексные соединения с металлами, что облегчает их удаление с поверхности.
. Для отмывки пластин используют особо чистую воду: дистиллированную и деионизованную (ионообменную). Степень очистки воды контролируют по ее удельному электросопротивлению. Удельное сопротивление дистиллированной воды составляет от 100 до 200 кОм×см, бидистиллированной - от 0,5 до 10 МОм×см, деионизованной - до 20 МОм×см.
. Для очистки от органических частиц деионизованная вода фильтруется мембранными фильтрами из тонких пленок нитроцеллюлозы, нейлона и др. материалов, обеспечивающих размеры отверстий от долей до нескольких микрометров.
. Очищенная поверхность пластин должна быть предохранена от последующих загрязнений. Для этого используют несколько приемов: моментальную передачу очищенных пластин в условиях чистой окружающей среды на следующую технологическую операцию; хранение очищенных пластин в герметичной таре, заполненной чистым инертным газом; защиту поверхности кремниевых пластин специальными технологическими пленками, например покрытие их специальным лаком.
Травление
n
+ слоя
1. Подготовка пластины.
. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.
. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 1).
. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.
. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Травление
n
слоя
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом центрифугирования.
. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
. Совмещение и экспонирование методом проецирования (фотошаблон 2).
. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
. Травление потоком химически активных, но нейтральных частиц. К таким частицам относятся свободные радикалы и некоторые короткоживущие молекулярные комплексы, которые возникают в плазме соответствующих газов.
. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина.
Изготовление резисторов
1. Нанесение позитивного фоторезиста ФП-РМ-7 на основе резольной и новолачной смол, методом полива.
. Сушка фоторезиста при температуре 100 С.
. Совмещение и экспонирование методом проецирования (Фотошаблон 2).
. Проявление в растворе тринатрийфосфата Nа3РO4.
. Задубливание фоторезиста при температуре 130 С в несколько этапов, с постепенным повышением температуры до 200 С.
. Нанесение слоя материала резисторов рения методом катодного осаждения.
. Удаление фоторезиста обработкой в горячей (70 - 80 ºС) смеси деметилформамида и моноэтаноламина. Перейти на страницу: 1 2
Другие статьи по теме:
Генератор линейно-изменяющихся напряжений Генераторы синусоидального напряжения отличаются тем, что у них цепь обратной связи имеет резонансные свойства. Поэтому условия возникновения колебаний выполняются только на одной частот ...
Исследование щелевой антенной решетки микроэлектроника антенный программа В диапазон СВЧ микроэлектроника начала внедряться в последнюю очередь, примерно в середине 60-х годов прошлого века. В первую очередь это связано с тр ...
Графен в электронике сегодня и завтра Графен был экспериментально обнаружен в 2004 г. двумя английскими учеными российского происхождения - Андреем Геймом и Константином Новосёловым, за что они вскоре получили Нобелевскую п ...