В качестве устройства защиты транзисторного усилителя СВЧ выбрана схема на полупроводниковых диодах, как наиболее отвечающая современным требованиям.

Рассчитанные параметры устройства на p-i-n-диодах составляют Lпр = 0,68дБ, Lзап = 20дБ, что совместно с ферритовым циркулятором и разрядником защиты приемника обеспечит надежную работу транзисторного усилителя СВЧ.

Произведен расчет согласующего устройства для p-i-n-диода, включенного в микрополосковую линию передачи.

Достоверность результатов подтверждена на трех этапах расчета: по результатам расчета реализуемой функции передачи, z-параметров согласующей цепи и синтеза схемы на этапе реализации.

Устройство обеспечивает уровень передачи не менее 0,85 при неравномерности в полосе частот 0,25 дБ.

Доказана возможность надежной работы транзисторного усилителя СВЧ в условиях воздействия мощных помех.

Результаты дипломного проекта могут служить обоснованием для принятия решения о замене УВЧ на ЛБВ транзисторным усилителем СВЧ. Перейти на страницу: 1 2 

Другие статьи по теме:

Кодек сигнала моноадресной системы Для представления видеопотока в цифровом виде пришлось решить немало проблем. Большие сложности составила проблема совместимости с существующими аналоговыми форматами (PAL, SECAM, NTSC). ...

Микропроцессорный тахометр Развитие микроэлектроники и широкое ее применение в промышленном производстве, в устройствах и системах управления самыми разнообразными объектами и процессами является в настоящее время ...

Территориальное планирование сетей телерадиовещания с учетом ЭМС РЭС на основе геоинформационных технологий На этапе проектирования телекоммуникационных сетей с появлением электронных карт и геоинформационных систем появилась возможность проведения более точных расчетов размещения радиоэлектр ...