Длительность
операции - 30минут
Оборудование - печь для сушки пластин
. Экспонирование (первый шаблон)
Оборудование - EVG - 420
Aligner
Дополнительное
оборудование - комплект шаблонов
Держатель - металлический зажим
. Проявление фоторезиста
Проявитель - MF - 319
Фоторезист - Shipley 1813
Температура - 25оС
Оборудование - Ванна для проявления
Дополнительное
оборудование - тефлоновые подставки, тефлоновые держатели
. Сушка проявленного фоторезиста
Параметры операции и оборудование:
Среда- воздух
Давление - атмосферное
Температура- 110оС
Время операции - 30 мин.
Оборудование - Печь для сушки пластин
Дополнительное
оборудование - металлические держатели
V. Травление отверстий для точек крепления конструкции (PoliSi) к подложке (плазменное травление SiO2)
Компоненты модуля:
Глубина травления - 0,1 - 2 мкм
Технологическая
среда - фреон
Скорость травления - 0,5 мкм/мин
Аспектное соотношение
(глубина отверстия/диаметр) - 10:1
Давление - 2,8*10-2 Па
Температура процесса - 120оС
Селективность процесса- средняя
Оборудование - плазмохимический реактор TEGAL 803
Дополнительное оборудование - алюминиевый зажим
VII. Осаждение нелегированного поликремния (PolySi) по всей поверхности подложки (на слой SiO2)
Компоненты технологического модуля:
. RCA - химическая очистка подложки.
Характеристики процесса
Реактивы - NH3OH, DI, HCl, DI
Время процесса - 60 мин.
Область очистки - двусторонняя
Температура процесса - 75оС
Оборудование - MOS -процесс оборудование
Диаметр пластин - 75 - 150 мм
Держатель подложки - тефлоновый зажим
Толщина подложки - 200 - 1000 мкм
. Осаждение слоя легированного поликремния на поверхность подложки (SiO2)
Толщина слоя - 0.1 - 1 мкм
Скорость осаждения - 0,008 мкм/мин
Материал - поликремний
Давление в камере - 300*10-2
Шероховатость - 8 нм
Температура - 615оС
Оборудование - MRL печь - 321 - 2
Диаметр пластины - 100 мм
Держатель пластин - кварцевый зажим
Толщина подложки- 200 - 1000 мм
. Контроль толщины пластины
Оборудование - Nanometrics NanoSpec /AFT 4000
VIII. Фотолитография конструкции микроакселерометра
Компоненты модуля:
. Предварительная термообработка
Температура - 110оС
Время процесса 15 мин.
Оборудование - сушильная печь
Диаметр пластин - 100 - 150 мм
Держатель пластин - лодочка
Толщина пластин - 100 - 2000 мкм
. Дегидратация поверхности
Характеристики процесса:
Материал - HMDS
Оборудование - установка для нанесения фоторезиста
Держатель пластин - металлический зажим
Толщина пластин - 100 - 1000 мкм
. Нанесение фоторезиста (Shipley 1813)
Характеристики процесса:
Материал - фоторезист Shipley 1813
Толщина - 1,3 мкм
Оборудование - установка для нанесения фоторезиста
Дополнительное оборудование аналогично п.IV.2
. Сушка фоторезиста
Характеристики процесса:
Давление - атмосферное
Температура - 90оС Перейти на страницу: 1 2 3
Другие статьи по теме:
Исследование и разработка конструкции широкополосного симметрирующего устройства На сегодняшний день развитие НТП (научно технический прогресс) в области электроники все чаще приводит к созданию новых типов электронных приборов и к возможности проектирования на их ос ...
Комплексная система защиты информации на предприятии Прохождение производственной практики имеет большое значение в процессе подготовки будущих специалистов. Необходимость ее для студента заключается в том, что это отличная ...
Интегрированные информационные технологии Использование принципа интеграции в компьютерных системах относится к различным аспектам организации технологий: интеграция информации в базах и банках данных; интеграция программ в еди ...