а) Дисперсия

В одномодовых волокнах, присутствует только хроматическая дисперсия и общее выражение упрощается:

tрез=|tхр|, где

Здесь:

tмат=Dl×М(l) - материальная дисперсия, где Dl - ширина спектральной линии источника излучения (для полупроводникового лазера составляет величину порядка 2 нм), М(l) - удельная материальная дисперсия, l - длина трассы;

tвв=Dl×B(l) - волноводная дисперсия, В(l) - удельная волноводная дисперсия;

tпр=Dl×П(l) - профильная дисперсия, где П(l) - удельная профильная дисперсия.

Таким образом, можно записать:

tрез=|Dl×М(l)+Dl×B(l)+Dl×П(l)|=|Dl×(М(l)+В(l)+П(l))|.

С увеличением длины линии дисперсия возрастёт, а полоса пропускания уменьшится. Это явление учитывается при определении длины регенерационного участка.

Известно, что

М(l)= -18 (пс/нм×км)

В(l)=12 (пс/нм×км)

П(l)=5,5 (пс/нм×км)

tрез=|Dl×(-18+12+5,5)|=|2×(-0,5)|=1 (пс/км).

Б) Потери. Коэффициент затухания.

В общем случае коэффициент затухания ОВ определяется следующими составляющими:

aобщ=aсоб+aкаб, где

aсоб=aпогл+aрасс+aприм,

где, затухание, обусловленное поглощением:

В эту формулу длина волны l подставляется в километрах. Тогда результат получится в дБ/км. Величина tgd учитывает чистоту кварца.

Затухание, обусловленное рассеянием:

Здесь:= 1,38×10-23 - постоянная Больцмана,

Т = 1500 К - температура кристаллизации кварца,

À = 8,1×10-11 м/Н - коэффициент сжимаемости кварца.

Таким образом,

Затуханием, обусловленным влиянием примесей - aприм, пренебрегаем.

Имеем:

aсоб=aпогл+aрасс=0,02591+0,12144 = 0,14735 (дБ/км),

aобщ=aсоб+aкаб=0,14735+0,5=0,64735 (дБ/км).

Другие статьи по теме:

Измерение параметров радиолокационного сигнала Исходные соотношения. Критерий оптимальной оценки параметров сигнала: Пусть на вход приемника поступает аддитивная смесь сигнала и шума: ; где: - вектор случайных ...

Преобразователь двоичной последовательности из фиксированного числа байт в ЧМ-сигнал Микроконтроллер (MCU) - микросхема, предназначенная для управления электронными устройствами. Типичный микроконтроллер сочетает в себе функции процессора и периферийных устройств, може ...

Использование среды Cadence Virtuoso для проектирования интегральных микросхем Принятая на сегодняшний день модель развития промышленности предполагает широкую роботизацию‚ создание гибких автоматизированных производств и отводит особое место микроэлектронике как с ...